2024.10.18：
第38回ダイヤモンドシンポジウム（2024.11.20-22）で研究成果を発表します.

市川助教
熱フィラメントCVD法を用いたホモエピタキシャルダイヤモンド(111)薄膜における成長モードと応力
楢本さん（M2）
ステップ・キンクを有するダイヤモンド(111)表面におけるCH3ラジカルの吸着・脱離の理論計算による反応エネルギー解析
森下さん（M2）
貫通穴上のEpitaxial Lateral Overgrowthを用いたダイヤモンド(111)膜の転位密度の低減

北山さん（M2）
ニッケル中への炭素固溶反応を利用した３段階アニールによるダイヤモンド（100）基板の表面平坦化

2024.09.26：
B4 野瀬賢人が卒業しました。ニューヨーク州立大学バッファロー校に1年間留学するなど、研究以外も頑張りました。おめでとうございます。
メンバー表

2024.09.10：
D3小林さんが、The 34th ICDCM 2024（@Dresden）において、Silver Young Scholar Awardを受賞しました。
The 34th ICDCM 2024 Young Scholar Award Winners

2024.06.22：
林助教の論文が公開されました。
Formation of low-dimensional nanopit structures on atomically flat surfaces of diamond (111) by nickel nanoparticles
オープンアクセスとなっていますので、ご覧ください。
Niナノ粒子を用いたダイヤモンド上に0次元、1次元のピットを形成する論文です。

2024.05.30：
加納さん（2023年度修了）の論文が公開されました。
Fabrication of lateral diamond MOSFET with buried pn-junctions by diamond surface planarization based on carbon solid solution into nickel
オープンアクセスとなっていますので、ご覧ください。
イオン注入を使わないダイヤモンドならではの埋め込みpn接合形成手法の論文です。

2024.04.23：
松島さん（2023年度修了）、村さん（2022年度修了）の論文が公開されました。
Fabrication and characterization of diamond (100) p+-i-n+ diodes with heavily nitrogen-doped films
オープンアクセスとなっていますので、ご覧ください。
低抵抗化に向けた高濃度窒素ドーピングの大きな一歩です。

2024.04.16：
新しくB4が配属されました。
メンバー表

2024.03.05：
送別会を行いました.
M2は3年間、B4は1年間、研究お疲れさまでした．
社会での活躍を期待しています．進学組はさらなる成果を期待しています．

2024.02.19：
松本准教授と佐藤さん（M2）がHasselt Diamond Workshop 2024 - SBDD XXVIII(2024.2.28-3.1)で研究成果を発表します.

松本准教授
Proposal of inversion channel diamond MOSFET with drift layer-free for low-loss and high-voltage
佐藤さん（M2）
Improvement of device variation in inversion channel diamond MOSFETs by buried p+-layer for source and drain

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