論文発表2019_1
トップページに戻る
2019.06.01：
徳田教授のパワーデバイスに関する研究が英国の雑誌「Impact」に掲載されました．
Inversion channel diamond metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with normally off characteristics. Sci. Rep. 6, 31585; doi:10.1038/srep31585(2016)
2019.06.17：
松本助教のダイヤモンドMOSFETの不純物濃度依存に関する論文がAPLにパブリッシュされました．
Inversion channel mobility and interface state density of diamond MOSFET using N-type body with various phosphorus concentrations
2019.06.18：
長井君（D2）のダイヤモンド(111)上のOH終端に関する論文がJJAPにパブリッシュされました．
Conductive-Probe Atomic Force Microscopy and Kelvin-Probe Force Microscopy Characterization of OH-terminated Diamond (111) Surfaces with Step-Terrace Structures
2019.07.06：
莨谷君（D2）のHFCVDによる高速成長に関する論文がpssaにパブリッシュされました．
High‐Rate Growth of Single‐Crystalline Diamond (100) Films by Hot‐Filament Chemical Vapor Deposition with Tantalum Filaments at 3000°C
2019.06.01：
徳田教授のパワーデバイスに関する研究が英国の雑誌「Impact」に掲載されました．
Inversion channel diamond metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with normally off characteristics. Sci. Rep. 6, 31585; doi:10.1038/srep31585(2016)
2019.06.17：
松本助教のダイヤモンドMOSFETの不純物濃度依存に関する論文がAPLにパブリッシュされました．
Inversion channel mobility and interface state density of diamond MOSFET using N-type body with various phosphorus concentrations
2019.06.18：
長井君（D2）のダイヤモンド(111)上のOH終端に関する論文がJJAPにパブリッシュされました．
Conductive-Probe Atomic Force Microscopy and Kelvin-Probe Force Microscopy Characterization of OH-terminated Diamond (111) Surfaces with Step-Terrace Structures
2019.07.06：
莨谷君（D2）のHFCVDによる高速成長に関する論文がpssaにパブリッシュされました．
High‐Rate Growth of Single‐Crystalline Diamond (100) Films by Hot‐Filament Chemical Vapor Deposition with Tantalum Filaments at 3000°C