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2018.12.1:
第23回(2018年度)応用物理学会北陸・信越支部学術講演会において
桜井君(M1)が発表奨励賞を受賞しました.
 ダイヤモンドMOSキャパシタにおける低界面準位密度1011cm-2eV-1オーダーの実現詳 細

2016.12.10:
第21回(2016年度)応用物理学会北陸・信越支部学術講演会において
長井雅嗣君(M1)が発表奨励賞を受賞しました.
 炭素固溶反応を用いた高速かつ異方性ダイヤモンド(100)エッチング詳 細

2016.10.13:
研究成果がJST newsに掲載されました.
 ダイヤモンドが省エネに貢献!究極のパワーデバイスの実現へ詳 細

2016.10.1:
2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会において
長井雅嗣君(M1)がPoster Awardを受賞しました.
 炭素固溶反応を用いた高速かつ異方性ダイヤモンド(100)エッチング詳 細

2016. 9. 7:
27th International Conference on Diamond and Carbon Materials (2016.9.4-8@Montpellier, France) において 叶田翔平君(M1)がSiliver Young Scholar Award DCM2016を受賞しました.
 "Fabrication of graphene on atomically flat diamond (111) surface
 using nickel as a catalyst"


2016. 8.22:
研究成果がプレスリリースされました.
 世界初!反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功詳 細

2016. 7.22:
第3回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム(2016.7.22-23)において
伊藤槙哉君(M2)がポスターアワード(29名中1名)を受賞しました.
 MPCVD法を用いたNi基板上のダイヤモンド成長

2015.12.21:
第29回ダイヤモンドシンポジウム(2015.11.17-19)において
中西一浩君(M2)がポスターセッション賞(優秀賞)を受賞しました.

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