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2021.06.01：
平光君(M1)、星田君(M1)がEM-NANO2021で研究成果を発表します.
https://www.pu-toyama.ac.jp/EM-NANO2021/AllImportantInformation.pdf
平光君(M1)
Evaluation of Termination Structures of Single Crystal Diamond (111) Surface
星田君(M1)
Carrier transport properties of diamond (111)-(2x1) reconstructed surfaces

2021.06.04：
NDNC2020/2021（2021.6.7-9）で研究成果を発表します.

松本准教授
I-07-3 Heteroepitaxial diamond-based inversion channel MOSFET
張助教
I-06-3 Deep Interface Trap Analysis for Al2O3 /Diamond MOS Structure by High-temperature Conductance Method
小島君（D3）
7P-03 The new microwave plasma CVD system with ellipsoid chamber
中野君（M2）
8A-06 Nitrogen Concentration Control in Homoepitaxial Diamond Film

2021.06.21：
松本准教授が3D-PEIM(2021.6.21-23)で招待講演を行います.
Diamond MOSFET for Next-Generation Power Devices

2021.07.30：
中野君(M2)、山河君(M2)が第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021.9.10-13）で研究成果を発表します．

中野君(M2)
[13a-S301-1] 二次元核形成を抑制した高濃度窒素ドープダイヤモンド成長技術の開発
山河君(M2)
[12p-S301-10] チャネル部追成長による反転層ダイヤモンドMOSFETの電気特性改善

2021.08.27：
徳田教授が電気学会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」調査専門委員会(2021.8.23)で招待講演を行いました.

2021.11.16：
徳田教授がInternational Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY –(2021.11.14-16)で招待講演を行いました.
[S10-2] Advances in Diamond MOS Interface

張助教がInternational Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY –(2021.11.14-16)で研究成果を発表しました.
[S11-1] High-Temperature Conductance Analysis for Al2O3/Diamond Interface States

2021.11.17：
小林君(M2)が第３５回ダイヤモンドシンポジウム（2021.11.17-19）で研究成果を発表しました．
[102] 高濃度ホウ素ドープダイヤモンド膜のラテラル成長

2021.11.18：
中野君(M2)が第51回（2021年秋季）応用物理学会講演奨励賞を受賞しました．