第38回ダイヤモンドシンポジウム(2024.11.20-22)で研究成果を発表します.
市川助教
熱フィラメントCVD法を用いたホモエピタキシャルダイヤモンド(111)薄膜における成長モードと応力
楢本さん(M2)
ステップ・キンクを有するダイヤモンド(111)表面におけるCH3ラジカルの吸着・脱離の理論計算による反応エネルギー解析
森下さん(M2)
貫通穴上のEpitaxial Lateral Overgrowthを用いたダイヤモンド(111)膜の転位密度の低減
ニッケル中への炭素固溶反応を利用した3段階アニールによるダイヤモンド(100)基板の表面平坦化 2024.09.26:
B4 野瀬賢人が卒業しました。ニューヨーク州立大学バッファロー校に1年間留学するなど、研究以外も頑張りました。おめでとうございます。
メンバー表
2024.06.22:
林助教の論文が公開されました。
Formation of low-dimensional nanopit structures on atomically flat surfaces of diamond (111) by nickel nanoparticles
オープンアクセスとなっていますので、ご覧ください。
Niナノ粒子を用いたダイヤモンド上に0次元、1次元のピットを形成する論文です。
2024.05.30:
加納さん(2023年度修了)の論文が公開されました。
Fabrication of lateral diamond MOSFET with buried pn-junctions by diamond surface planarization based on carbon solid solution into nickel
オープンアクセスとなっていますので、ご覧ください。
イオン注入を使わないダイヤモンドならではの埋め込みpn接合形成手法の論文です。
2024.04.23:
松島さん(2023年度修了)、村さん(2022年度修了)の論文が公開されました。
Fabrication and characterization of diamond (100) p+-i-n+ diodes with heavily nitrogen-doped films
オープンアクセスとなっていますので、ご覧ください。
低抵抗化に向けた高濃度窒素ドーピングの大きな一歩です。
2024.04.16:
新しくB4が配属されました。
メンバー表
2024.03.05:
送別会を行いました.
M2は3年間、B4は1年間、研究お疲れさまでした.
社会での活躍を期待しています.進学組はさらなる成果を期待しています.
2024.02.19:
松本准教授と佐藤さん(M2)がHasselt Diamond Workshop 2024 - SBDD XXVIII(2024.2.28-3.1)で研究成果を発表します.
松本准教授
Proposal of inversion channel diamond MOSFET with drift layer-free for low-loss and high-voltage
佐藤さん(M2)
Improvement of device variation in inversion channel diamond MOSFETs by buried p+-layer for source and drain
第37回ダイヤモンドシンポジウム(2023.11.14-16)で研究成果を発表します.
市川助教
熱フィラメントCVD法を用いたホモエピタキシャルダイヤモンド(111)成長
加納さん(M2)
Niの炭素固溶反応による平坦化技術を応用した埋込ソース・ドレイン構造を有するMOSFETの作製と実証
松島さん(M2)
高濃度窒素ドーピングによる接触抵抗低減とダイヤモンド(100)p+-i-n+ダイオードの実証
市川助教が第84回応用物理学会秋季学術講演会@熊本(2023.9.19-23)で研究成果を発表します. [21p-C402-1]HFCVDを用いたホモエピタキシャルダイヤモンド(111)成長におけるフィラメント温度の影響 2023.09.08:
徳田教授が33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials@Palma, Mallorca, Spain(2023.9.10-14)で基調講演を行います.
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