2024.04.23：
松島さん（2023年度修了）、村さん（2022年度修了）の論文が公開されました。
Fabrication and characterization of diamond (100) p+-i-n+ diodes with heavily nitrogen-doped films
オープンアクセスとなっていますので、ご覧ください。
低抵抗化に向けた高濃度窒素ドーピングの大きな一歩です。

2024.04.16：
新しくB4が配属されました。
メンバー表

2024.03.05：
送別会を行いました.
M2は3年間、B4は1年間、研究お疲れさまでした．
社会での活躍を期待しています．進学組はさらなる成果を期待しています．

2024.02.19：
松本准教授と佐藤さん（M2）がHasselt Diamond Workshop 2024 - SBDD XXVIII(2024.2.28-3.1)で研究成果を発表します.

松本准教授
Proposal of inversion channel diamond MOSFET with drift layer-free for low-loss and high-voltage
佐藤さん（M2）
Improvement of device variation in inversion channel diamond MOSFETs by buried p+-layer for source and drain

2023.10.23：
第37回ダイヤモンドシンポジウム（2023.11.14-16）で研究成果を発表します.

市川助教
熱フィラメントCVD法を用いたホモエピタキシャルダイヤモンド（111）成長
加納さん（M2）
Niの炭素固溶反応による平坦化技術を応用した埋込ソース・ドレイン構造を有するMOSFETの作製と実証
松島さん（M2）
高濃度窒素ドーピングによる接触抵抗低減とダイヤモンド（100）p+-i-n+ダイオードの実証

2023.09.12：
市川助教が第84回応用物理学会秋季学術講演会＠熊本(2023.9.19-23)で研究成果を発表します.
［21p-C402-1］HFCVDを用いたホモエピタキシャルダイヤモンド(111)成長におけるフィラメント温度の影響

2023.09.08：
徳田教授が33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials＠Palma, Mallorca, Spain(2023.9.10-14)で基調講演を行います.

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