2025.03.14：
D3小林さんが第72回応用物理学会春季学術講演会にて、講演奨励賞受賞記念講演を行います.
成長・ドーピング・表面・界面制御を駆使したステップフリーダイヤモンドMOSFETの作製

2025.02.21：
D3小林さんの原子的平坦面をチャネルに用いたMOSFETの論文が公開され、プレスリリースされました.
大学のプレスリリース
小林さんの論文

2025.02.14：
ANAホテルにて送別会を行いました.
D3小林さんは6年間、M2は3年間（外部進学は2年間）、B4は1年間、研究お疲れさまでした．
就職組は社会での活躍を期待しています．進学組はさらなる成長を期待しています．

2025.01.01：
市川先生が准教授に昇進しました。おめでとうございます。益々のご活躍を期待しています。
メンバー表

2024.10.18：
第38回ダイヤモンドシンポジウム（2024.11.20-22）で研究成果を発表します.

市川助教
熱フィラメントCVD法を用いたホモエピタキシャルダイヤモンド(111)薄膜における成長モードと応力
楢本さん（M2）
ステップ・キンクを有するダイヤモンド(111)表面におけるCH3ラジカルの吸着・脱離の理論計算による反応エネルギー解析
森下さん（M2）
貫通穴上のEpitaxial Lateral Overgrowthを用いたダイヤモンド(111)膜の転位密度の低減

北山さん（M2）
ニッケル中への炭素固溶反応を利用した３段階アニールによるダイヤモンド（100）基板の表面平坦化

2024.09.26：
B4 野瀬賢人が卒業しました。ニューヨーク州立大学バッファロー校に1年間留学するなど、研究以外も頑張りました。おめでとうございます。
メンバー表

2024.09.10：
D3小林さんが、The 34th ICDCM 2024（@Dresden）において、Silver Young Scholar Awardを受賞しました。
The 34th ICDCM 2024 Young Scholar Award Winners

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