特 許 ( 1 3 )
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| 特許第5948578号 | “ダイヤモンドの表面処理方法” |
| 徳田規夫, 猪熊孝夫，福井真，神谷昇吾，山崎聡，竹内大輔，牧野俊晴 |
| 平成28年6月17日 |
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| 特許第5887742号 | “ダイヤモンド基板” |
| 徳田規夫, 猪熊孝夫，有屋田修, 山崎聡 |
| 平成28年2月26日 |
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| 特許第5681959号 | “グラフェン・ダイヤモンド積層体” |
| 徳田規夫, 猪熊孝夫，福井真, 山崎聡，竹内大輔，牧野俊晴 |
| 平成27年1月23日 |
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| 特許第5565895号 | “半導体装置” |
| 谷本智, 桐谷範彦, 牧野俊晴, 小倉政彦, 徳田規夫, 加藤宙光, 大串秀世, 山崎聡 |
| 平成26年6月27日 |
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| 特許第5545567号 | “単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法” |
| 野口仁, 徳田規夫, 猪熊孝夫, 福井真 |
| 平成26年5月23日 |
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| 特許第5454867号 | “単結晶ダイヤモンド基板” |
| 徳田規夫, 小倉政彦, 加藤宙光, 竹内大輔, 牧野俊晴, 小山和博, 大串秀世, 山崎聡 |
| 平成26年1月17日 |
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| US8592824 | “High efficiency indirect transition semiconductor ultraviolet light emitting device” |
| Satoshi Yamasaki, Toshiharu Makino, Hideyo Okushi, Norio Tokuda, Hiromitsu Kato, Masahiko Ogura, Hideyuki Watanabe, Sung-Gi Ri, Daisuke Takeuchi |
| 平成25年11月26日 |
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| 特許第5273635号 | “高効率間接遷移型半導体紫外線発光素子” |
| 山崎聡, 牧野俊晴, 大串秀世, 徳田規夫, 加藤宙光, 小倉政彦, 渡邊幸志, 李成奇, 竹内大輔 |
| 平成25年5月24日 |
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| 特許第5152836号 | “ダイヤモンド薄膜積層体” |
| 徳田規夫, 梅澤仁, 山崎聡 |
| 平成24年12月14日 |
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| 特許第5119553号 | “ダイヤモンド半導体素子” |
| 小山和博, 李成奇, 大串秀世, 山崎聡, 小倉政彦, 竹内大輔, 牧野俊晴, 加藤宙光, 徳田規夫 |
| 平成24年11月2日 |
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| 特許第5071815号 | “ナノメートルスケールの計測標準試料およびナノメートルスケールの計測標準試料を用いた走査型顕微鏡の校正方法” |
| 徳田規夫, 山崎聡, 栗原健一, 権太聡, 太田敏隆 |
| 平成24年8月31日 |
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| US7989260 | “Method of selectively forming atomically flat plane on diamond surface, diamond substrate produced by the method, and semiconductor device using the same” |
| Norio Tokuda, Hitoshi Umezawa, Satoshi Yamasaki |
| Aug. 2, 2011 |
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| 特許第4446065号 | “ダイヤモンド表面上の原子的平坦面の選択的形成方法、そのダイヤモンド基板及びこれを用いた半導体素子” |
| 徳田規夫, 梅澤仁, 山崎聡 |
| 平成22年1月29日 |
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