2024. 5.242024年度「NEDO先導研究プログラム／新技術先導研究プログラム」に採択されました⇒ 詳 細
2024. 5.21CS MANTECH2024 (2024.5.21@Tucson, USA)で招待講演を行いました⇒ 詳 細
2024. 3.15金沢大学　功労表彰を受賞しました
ダイヤモンド触媒に関する研究開発
2024. 1.18(株)ジャパンマーケティングサーベイ主催セミナー　ダイヤモンド半導体の最新開発動向　で招待講演（オンラインLive配信）を行いました⇒ 詳 細
2024. 1.18システムデバイスロードマップ産学連携委員会 (SDRJ)　2023年度第5回BC、MtM合同委員会　で招待講演を行いました⇒ 詳 細
2023.12.13我々（株式会社ダイセルと国立大学法人金沢大学）の研究成果がプレスリリースされました
可視光照射によるダイヤモンド表面からの電子放出を利用した CO2還元に成功しました！		⇒ 詳 細
2023.10.19CEATEC 2023 半導体人材育成　地域産学官連携サミット　で中部地区学の代表パネラーとして登壇しました⇒ 詳 細
2023.10.18R&D支援センター主催セミナー　ダイヤモンド半導体の現状・課題・最新動向　で招待講演（オンラインLive配信）を行います⇒ 詳 細
2023.10. 3我々の研究成果がプレスリリース(@京セラ株式会社)されました
磁気の魔法が顕微鏡の中に現れる！量子センサーヘッドの開発		⇒ 詳 細
2023. 9.192023 Functional Diamond Symposium (2023.9.19@Zhengzhou, China)で基調講演を行いました⇒ 詳 細
2023. 8.2633rd International Conference on Diamond and Carbon Materials (2023.9.10-14@Mallorca, Spain)で基調講演を行います⇒ 詳 細
2023. 5.29E-MRS 2023 Spring Meeting (2023.5.29-6.2@Strasbourg,France)で招待講演を行いました⇒ 詳 細
2023. 3. 9一般社団法人電子情報通信学会2023年総合大会（2023.3.7-10）芝浦工業大学　大宮キャンパス（ハイブリッド開催）で招待講演を行いました⇒ 詳 細
2022.10.25一般社団法人ワイドギャップ半導体学会第９回研究会（2022.12.15-16）金沢商工会議所（ハイブリッド開催）で招待講演を行います⇒ 詳 細
2022.10.19R&D支援センター主催セミナー　ダイヤモンド半導体の現状・課題・最新動向　で招待講演（オンラインLive配信）を行いました⇒ 詳 細
2022. 9.212022年第88回応用物理学会秋季学術講演会で招待講演を行いました⇒ 詳 細
2022. 6. 9小林和樹君（D1）がthe 15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2022)にてDiamond Young Scholar Awardを受賞しました
Selectively buried growth of heavily B doped diamond layers in N doped diamond (111) with atomically flat surfaces		⇒ 詳 細
2022. 5.242022 MRS Spring Meeting and Exhibit(Honolulu&Vertual)で招待講演を行いました⇒ 詳 細
2022. 3.31MRS Webinar - Ultrawide Bandgap Materials and Devicesでパネリストとして招待講演（オンラインLive配信）を行いました⇒ 詳 細
2022. 1.17情報機構主催セミナー　ダイヤモンド半導体のパワーデバイス応用　で招待講演（オンラインLive配信）を行いました⇒ 詳 細
2021.11.24中野裕太君（M2）が第51回（2021年秋季）応用物理学会講演奨励賞を受賞しました
二次元核形成を抑制した高濃度窒素ドープダイヤモンド成長技術の開発		⇒ 詳 細
2021.11.112021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY -(2021.11.14-16@virtual)で招待講演を行います⇒ 詳 細
2021. 8.11サイエンス&テクノロジー主催セミナー　ダイヤモンドエレクトロニクスのポテンシャルと課題、展望（2021.9.27）で招待講演（オンラインLive配信）を行います⇒ 詳 細
2021. 5. 62021 MRS Fall Meeting and Exhibit(2021.11.28-12.3@Boston)で招待講演を行います⇒ 詳 細
2021. 5. 6技術情報協会主催セミナー　次世代パワーデバイスの開発動向と実用化に向けた課題（2021.6.30）で招待講演（オンラインLive配信）を行います⇒ 詳 細
2021. 4.20我々の研究成果がプレスリリースされました
ダイヤモンドウェハの平坦化における研磨代替技術を開発！
ダイヤモンドとニッケルを接触させアニールするだけ		⇒ 詳 細
2021. 3.22莨谷平君（D3）が自然科学研究科長賞を受賞しました
2021. 3.22長井雅嗣君（D3）が学長賞を受賞しました
2020.12.112021年第68回応用物理学会春季学術講演会で招待講演を行います⇒ 詳 細
2020.12. 8我々の研究成果がプレスリリースされました
世界で初めてダイヤモンド-on-シリコン技術を用いて
ヘテロエピタキシャルダイヤモンド反転層チャネルMOSFETを開発！		⇒ 詳 細
2020.11.28令和2年度応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会において
中野裕太君（M1）が発表奨励賞を受賞しました
ホモエピタキシャルダイヤモンドの超高濃度窒素ドーピング制御		⇒ 詳 細
2020.10. 1Second Workshop on Diamond Electronicsで招待講演を行います⇒ 詳 細
2020. 3.23亀井悠平君（M2）が自然科学研究科長賞を受賞しました
2019.12.23Hasselt Diamond Workshop 2020 - SBDD XXV で招待講演を行います⇒ 詳 細
2019.11.17令和元年度　アントレプレナーコンテスト(2019.11.16)において長井雅嗣君（D2）が最優秀賞を受賞しました⇒ 詳 細
2019.11.14金沢大学先魁PJ2018国際ワークショップThe 2nd International Workshop on Plasma Technology for Diamond Growth and Diamond Device Fabrication（2019.12.13）を開催します⇒ 詳 細
2019.11. 8我々の論文がphysica status solidi (a)のInside Back coverに採用されました⇒ 詳 細
2019. 8.31技術情報協会主催セミナー　ダイヤモンド半導体の技術動向と可能性（2018.10.21）で招待講演を行います⇒ 詳 細
2019. 8.31SSDM 2019で招待講演を行います⇒ 詳 細
2019. 6.22EM-NANO 2019(2019.6.19-22)において長井雅嗣君（D2）がBest poster awardを受賞しました
Conductive-Probe AFM and Kelvin-Probe Force Microscopy Characterization of OH-terminated Diamond (111) Surfaces with Step-Terrace Structures through Water Vapor Annealing		⇒ 詳 細
2019. 6.14サイエンス&テクノロジー主催セミナー(2019.7.1@東京・品川区大井町 きゅりあん 4F　第1特別講習室)で招待講演を行います⇒ 詳 細
2019. 4. 1長井雅嗣君（D2）が平成31年度日本学術振興会特別研究員(DC2)に採用されました⇒ 詳 細
2019. 3.14Hasselt Diamond Workshop 2019 - SBDD XXIV(2019.3.13-15@Hasselt, Belgium)において莨谷平君（D1）がBrilliant Poster Awardを受賞しました
High growth rate of single crystal diamond film in a hot-filament chemical vapor deposition system with tantalum filaments
2018. 3. 5大学院生（博士前期＆後期過程）を募集しています
他大学、高専専攻科、企業（社会人特別選抜）からも歓迎
(今まで４名の実績有）
成績優秀者はB試験（筆記試験免除）の受験が可能です
　　　連絡先：　tokuda(at)se.kanazawa-u.ac.jp
2019. 3. 32019 MRS Fall Meeting and Exhibitで招待講演を行います⇒ 詳 細
2019. 2.12第3回薄膜・表面物理分科会 論文賞を受賞しました
“Inversion channel diamond metal-oxide-semiconductor field-effect transister with normally off characteristics”, Scientific Reports, No.6, 31585, 2016.8		⇒ 詳 細
2019. 1.252019年第66回応用物理学会春季学術講演会で松本翼助教が第3回薄膜・表面物理分科会論文賞受賞記念講演を行います⇒ 詳 細
2019. 1.21新技術研究会主催　第314回 月例研究会（2019.2.9）で招待講演を行います⇒ 詳 細
2018.12. 1平成30年度応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会において
桜井海匡君（M1）が発表奨励賞を受賞しました
ダイヤモンドMOSキャパシタにおける低界面準位密度 10^11 /cm^2・eVオーダの実現		⇒ 詳 細
2018.11.30日本学術振興会 結晶成長の科学と技術 第161委員会第108回研究会「2025年結晶産業の未来〜新規材料素材編〜」（2018.11.30）で招待講演を行いました
2018.11.15金沢大学先魁PJ2018国際ワークショップInternational Workshop on Plasma Technology for Diamond Growth and Diamond Device Fabrication（2018.11.15）を開催しました⇒ 詳 細
2018.10.21ACSIN-14 & ICSPM26(2018.10.21-25)において長井雅嗣君（D1）がStudent Awardを受賞しました
Non-plasma Anisotropic Diamond Etching with High Rate and Selectivity		⇒ 詳 細
2018. 9.27日本海イノベーション会議　新エネルギー戦略-振動発電とダイヤモンド-（2018.9.29）で招待講演を行います⇒ 詳 細
2018. 8.28我々の研究成果がプレスリリースされました
Water vapor annealing technique on diamond surfaces for next-generation power devices		⇒ 詳 細
2018. 8.27我々の研究成果がEurekAlert!に掲載されました
Water vapor annealing technique on diamond surfaces for next-generation power devices		⇒ 詳 細
2018. 6.22第4回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム(2018.6.22-23)において長井雅嗣君（D1）がポスターアワードを受賞しました
高温水蒸気雰囲気下におけるNiとダイヤモンドの熱化学反応を用いた選択的かつ高速な異方性ダイヤモンドエッチング
2018. 6.21我々の研究論文が金沢大学Papers of the Month 2018年05月に選出されました
ダイヤモンドをすばやく無傷に加工する新技術の開発		⇒ 詳 細
2018. 5.31技術情報協会主催セミナー　次世代パワーデバイスの最新開発動向と実用化展望（2018.7.30）で招待講演を行います⇒ 詳 細
2018. 5.31シリコン材料・デバイス研究会（2018.6.25）で松本翼助教が依頼講演を行います⇒ 詳 細
2018. 5.22我々の研究成果がEurekAlert!に掲載されました
Non-plasma high-speed anisotropic diamond etching with nickel in 1000°C water vapor		⇒ 詳 細
2018. 5. 1我々の研究成果がプレスリリースされました
水蒸気とニッケルを用いた非プラズマプロセスによるダイヤモンドの高速・異方性エッチング技術を開発		⇒ 詳 細
2018. 4.23金沢大学先魁プロジェクト2018に採択されました
革新的デバイス創製を目指した次世代エレクトロニクス研究拠点の形成　　　　　　　　　　　　　プロジェクトリーダー：徳田規夫		⇒ 詳 細
2018. 3.30大学院生（博士前期＆後期過程）を募集しています
他大学、高専専攻科からも歓迎(今まで３名の実績有）
成績優秀者はB試験（筆記試験免除）の受験が可能です
　　　連絡先：　tokuda(at)se.kanazawa-u.ac.jp
2018. 3.22叶田翔平君（M2）と長井雅嗣君（M2）が自然科学研究科長賞を受賞しました
2018. 2.28松本翼助教の記事「最近の展望」が応用物理学会誌（第87巻 第2号）に掲載されました
反転層型ダイヤモンドMOSFET		⇒ 詳 細
2017.11.28インタビュー記事が日経テクノロジーonlineに掲載されました
金沢大学 徳田規夫准教授に「ダイヤモンドとパワーデバイス」について聞く【後編】
ダイヤモンドMOSFETの可能性を開く、次は縦型で高耐圧化		⇒ 詳 細
2017.11.17インタビュー記事が日経テクノロジーonlineに掲載されました
金沢大学 徳田規夫准教授に「ダイヤモンドとパワーデバイス」について聞く【前編】
究極の材料「ダイヤモンド」で、半導体に革新を起こす		⇒ 詳 細
2017.10.22莨谷平君（M2）が丸文財団国際交流助成事業に採択されました⇒ 詳 細
2017. 9.27第14回 PDEAパワーデバイスセミナー（2017.12.6）で招待講演を行います⇒ 詳 細
2017. 4. 4大学院生（博士前期＆後期過程）を募集しています
他大学、高専専攻科からも歓迎(今まで３名の実績有）
成績優秀者はB試験（筆記試験免除）の受験が可能です
　　　連絡先：　tokuda(at)se.kanazawa-u.ac.jp
2017. 4. 4SSDM 2017で松本翼助教が招待講演を行います⇒ 詳 細
2017. 3.22伊藤槙哉君（M2）が自然科学研究科長賞を受賞しました
2017. 2.27莨谷平君（M1）が帰国しました。
トビタテ！留学JAPAN日本代表プログラム第3期生
留学先：Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics (Freiburg, Germany)
留学期間：2016年3月7日〜2017年2月20日（約1年間）		⇒ 詳 細
2017. 2.20Hasselt Diamond Workshop 2017 - SBDD XXII で松本翼助教が招待講演を行います⇒ 詳 細
2016.12.10平成28年度応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会において
長井雅嗣君（M1）が発表奨励賞を受賞しました
炭素固溶反応を用いた高速かつ異方性ダイヤモンド(100)エッチング		⇒ 詳 細
2016.12. 8日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会
第129回研究会　高ガス温度プラズマによる超高速材料プロセシング（2016.12.9）で招待講演を行います		⇒ 詳 細
2016.10.13我々の研究成果がJST newsに掲載されました
ダイヤモンドが省エネに貢献！究極のパワーデバイスの実現へ		⇒ 詳 細
2016.10. 12016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会において
長井雅嗣君（M1）がPoster Awardを受賞しました
炭素固溶反応を?いた高速かつ異方性ダイヤモンド(100)エッチング		⇒ 詳 細
2016. 9. 727 th International Conference on Diamond and Carbon Materials(2016.9.4-8@Montpellier, France)において
叶田翔平君（M1）がSiliver Young Scholar Award DCM2016を受賞しました
Fabrication of graphene on atomically flat diamond (111) surface using nickel as a catalyst
2016. 8.22我々の研究成果がプレスリリースされました
世界初！反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功		⇒ 詳 細
2016. 8. 1第38回（2016年度）応用物理学会優秀論文賞を受賞しました
Perfect selective alignment of nitrogen-vacancy centers in diamond, Appl. Phys. Express 7 (2014) 055201		⇒ 詳 細
2016. 7.2427 th International Conference on Diamond and Carbon Materials(2016.9.4-8@Montpellier, France)において
叶田翔平君（M1）がYoung Scholar Award DCM2016にノミネートされました
Fabrication of graphene on atomically flat diamond (111) surface using nickel as a catalyst		⇒ 詳 細
2016. 7.22第3回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム(2016.7.22-23)において伊藤槙哉君（M2）がポスターアワードを受賞しました
MPCVD法を用いたNi基板上のダイヤモンド成長
2016. 6.23第63回CVD研究会「第27回夏季セミナー」（2016.8.18-19）で招待講演を行います⇒ 詳 細
2016. 6.23筑波大学大学院数理物質科学研究科において研究科修了生によるオムニバス講座（2016.6.20）で講演を行いました⇒ 詳 細
2016. 5.17第3回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム（2016.7.15-16）で招待講演を行います⇒ 詳 細
2016. 4.28大学院生（博士前期＆後期過程）を募集しています
他大学、高専専攻科からも歓迎(今まで２名の実績有）
成績優秀者はB試験（筆記試験免除）の受験が可能です
　　　連絡先：　tokuda(at)se.kanazawa-u.ac.jp
2016. 3.22中西一浩君（M2）が自然科学研究科長賞を受賞しました
2016. 2.26莨谷平君（M1）がトビタテ！留学JAPAN日本代表プログラム第3期生として留学先に向かいました
留学先：Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics (Freiburg, Germany)
留学期間：2016年3月7日〜2017年2月20日（約1年間）		⇒ 詳 細
2015.12.21第２９回ダイヤモンドシンポジウム(2015.11.17-19)において
中西一浩君（M2）がポスターセッション賞（優秀賞）を受賞しました
Niへの炭素の固溶反応を用いたダイヤモンドエッチングプロセスの提案		⇒ 詳 細
2015.12. 3EMN 3CG2015で招待講演を行います⇒ 詳 細
2015.11.14金沢大学サステナブルエネルギー研究センター第3回公開シンポジウムで依頼講演を行いました⇒ 詳 細
2015.10.26大澤科学技術振興財団研究開発助成（平成27年度）に採択されました⇒ 詳 細
2015.10. 1JST マッチングプランナープログラム（平成27年度）に採択されました⇒ 詳 細
2015.10. 1松本翼 助教（リサーチプロフェッサー（若手型））が着任しました⇒ 詳 細
2015. 9.10伊藤君（M1）と黒島君（M1）がドイツ（Bad Homburg）で開催されたICDCM2015で発表を行いました　
2015. 6.18EM-NANO2015(2015.6.16-19)において中西一浩君（M2）が
Poster Awardを受賞しました
Diamond Etching by Solid Solution Reaction of Carbon to Nickel
2015. 5. 5テニュアトラック助教（リサーチプロフェッサー）を募集しております
書類提出締切は6月30日までです		⇒ 詳 細
2015. 4. 6大学院生（博士前期＆後期過程）を募集しています
他大学、高専専攻科からも歓迎(今まで２名の実績有）
成績優秀者はB試験（筆記試験免除）の受験が可能です
　　　連絡先：　tokuda(at)se.kanazawa-u.ac.jp
2015. 3.23伊藤槙哉君（B4）が理工学域長賞を受賞しました
2015. 2.10リサーチプロフェッサー（登用型）の辞令を受けました⇒ 詳 細
2015. 2.10【論 文】、【学 会 発 表】を更新しました　
2014.10.25ニューダイヤモンドフォーラム NEW DIAMOND誌に我々の研究室が紹介されました⇒ 詳 細
2014.10. 6半導体ダイヤモンドの高速成長法に関する研究成果が日刊工業新聞に掲載されました⇒ 詳 細
2014. 8. 1【論 文】、【特 許】を更新しました　
2014. 5. 7大学院生を募集しています
他大学、高専専攻科からも歓迎(今まで２名の実績有）
　　　連絡先：　tokuda(at)se.kanazawa-u.ac.jp
2014. 5. 7【特 許】、【外 部 資 金 獲 得】を更新しました　
2014. 3.13International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2014)で招待講演を行います⇒ 詳 細
2014. 3.12応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 News Letterに我々の研究室が紹介されました⇒ 詳 細
2013.12.292013年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会(2013.11.22-23)
において南山拓真君（M1）が発表奨励賞を受賞しました
　　　　　　超低抵抗率ホウ素δドープダイヤモン構造		⇒ 詳 細
2013.11.25JST A-STEP ハイリスク挑戦タイプ（平成25年度）に採択されました⇒ 詳 細
2013.11.11第42回　薄膜・表面物理基礎講座(2013)を開催します
　　　参加申込締切：2013年11月18日（月）		⇒ 詳 細
2013.11.11【論 文】を更新しました　
2013.10. 1【学 会 発 表】を更新しました　
2013. 4.23大学院生を募集しています（他大学、高専専攻科からも歓迎）
　　　連絡先：　tokuda(at)se.kanazawa-u.ac.jp
2013. 4.23International Conference on Silid State Devices and Materials (SSDM2013)で招待講演を行います⇒ 詳 細
2013. 4.23【論 文】、【学 会 発 表】を更新しました　
2012.11.28【特 許】を更新しました　
2012.11.10【論 文】を更新しました　
2012. 8.22【論 文】、【特 許】を更新しました　
2012. 4.20大学院生を募集しています（他大学、高専専攻科からも歓迎）
　　　連絡先：　tokuda(at)se.kanazawa-u.ac.jp
2012. 4. 4【論 文】、【学 会 発 表】、【外 部 資 金 獲 得】を更新しました　
2012. 2. 8ダイヤモンド基板に関する研究成果が朝日新聞に掲載されました
2011.12.15工業材料（2012年1月号,日刊工業新聞社）に記事が掲載されました
　　　次代を拓く―工業材料キーワード４０
　　　半導体ダイヤモンド		⇒ 詳 細
2011.12.12 第25回 ダイヤモンドシンポジウム(2011.12.7-9)において福井真君（M2）がポスターセッション優秀賞を受賞しました
　　　原子的平坦ダイヤモンド(111)表面のグラファイト化による
　　　グラフェン・オン・ダイヤモンド形成		⇒ 写 真
⇒ 詳 細
2011.11.10金沢大学重点戦略経費政策課題対応型研究推進セミナーを開催しました
　　　講演者: RNDr. Bohuslav Rezek, Ph.D.
　　　Academy of Sciences of the Czech Republic 		⇒ 詳 細
2011.10.28【学 会 発 表】を更新しました　
2011. 9. 7グラフェン・オン・ダイヤモンドに関する研究成果が日刊工業新聞に掲載されました⇒ 詳 細
2011. 8.102011年度精密工学会秋季大会学術講演会(2011.9.20)でキーノートスピーチを行います⇒ 詳 細
2011. 7.22イノベーションジャパン2011(2011.9.21〜22)に出展します
　　　究極の半導体デバイス材料：半導体ダイヤモンドの開発
⇒ 詳 細
2011. 7.22新技術説明会(2011.8.19)で発表します
　　　グラフェン・オン・ダイヤモンドの開発
　　　〜カーボンエレクトロニクス時代へ〜
⇒ 詳 細
2011. 5.25大学院生を募集しています（他大学、高専専攻科からも歓迎です）
　　　連絡先：　tokuda@se.kanazawa-u.ac.jp
2011. 5.25【論 文】、【学 会 発 表】、【外 部 資 金 獲 得】を更新しました　
2011. 2.222011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会(2011.3.26)で招待講演を行います⇒ 詳 細
2010.10.18A-STEP FSステージ　シーズ顕在化タイプ（平成22年度）に採択されました⇒ 詳 細
2010. 8.31JR東日本企画「トレインチャンネル」の番組「知ってるぅ↑？サイエンス」にて、「世界最小のダイヤモンド製ものさし」が紹介されました⇒ 詳 細