2017.10.22莨谷平君(M2)が丸文財団国際交流助成事業に採択されました⇒ 詳 細
2017. 9.27第14回 PDEAパワーデバイスセミナー(2017.12.6)で招待講演を行います⇒ 詳 細
2017. 4. 4大学院生(博士前期&後期過程)を募集しています
他大学、高専専攻科からも歓迎(今まで3名の実績有)
成績優秀者はB試験(筆記試験免除)の受験が可能です
   連絡先: tokuda(at)se.kanazawa-u.ac.jp
2017. 4. 4SSDM 2017で松本翼助教が招待講演を行います⇒ 詳 細
2017. 3.22伊藤槙哉君(M2)が自然科学研究科長賞を受賞しました
2017. 2.27莨谷平君(M1)が帰国しました。
トビタテ!留学JAPAN日本代表プログラム第3期生
留学先:Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics (Freiburg, Germany)
留学期間:2016年3月7日〜2017年2月20日(約1年間)
⇒ 詳 細
2017. 2.20Hasselt Diamond Workshop 2017 - SBDD XXII で松本翼助教が招待講演を行います⇒ 詳 細
2016.12.10平成28年度応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会において
長井雅嗣君(M1)が発表奨励賞を受賞しました

炭素固溶反応を用いた高速かつ異方性ダイヤモンド(100)エッチング
⇒ 詳 細
2016.12. 8日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会
第129回研究会 高ガス温度プラズマによる超高速材料プロセシング(2016.12.9)で招待講演を行います
⇒ 詳 細
2016.10.13我々の研究成果がJST newsに掲載されました
ダイヤモンドが省エネに貢献!究極のパワーデバイスの実現へ
⇒ 詳 細
2016.10. 12016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会において
長井雅嗣君(M1)がPoster Awardを受賞しました

炭素固溶反応を?いた高速かつ異方性ダイヤモンド(100)エッチング
⇒ 詳 細
2016. 9. 727 th International Conference on Diamond and Carbon Materials(2016.9.4-8@Montpellier, France)において
叶田翔平君(M1)がSiliver Young Scholar Award DCM2016を受賞しました

Fabrication of graphene on atomically flat diamond (111) surface using nickel as a catalyst
2016. 8.22我々の研究成果がプレスリリースされました
世界初!反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功
⇒ 詳 細
2016. 8. 1第38回(2016年度)応用物理学会優秀論文賞を受賞しました
Perfect selective alignment of nitrogen-vacancy centers in diamond, Appl. Phys. Express 7 (2014) 055201
⇒ 詳 細
2016. 7.2427 th International Conference on Diamond and Carbon Materials(2016.9.4-8@Montpellier, France)において
叶田翔平君(M1)がYoung Scholar Award DCM2016にノミネートされました
Fabrication of graphene on atomically flat diamond (111) surface using nickel as a catalyst
⇒ 詳 細
2016. 7.22第3回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム(2016.7.22-23)において
伊藤槙哉君(M2)がポスターアワード(29名中1名)を受賞しました

MPCVD法を用いたNi基板上のダイヤモンド成長
2016. 6.23第63回CVD研究会「第27回夏季セミナー」(2016.8.18-19)で招待講演を行います⇒ 詳 細
2016. 6.23筑波大学大学院数理物質科学研究科において研究科修了生によるオムニバス講座(2016.6.20)で講演を行いました⇒ 詳 細
2016. 5.17第3回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム(2016.7.15-16)で招待講演を行います⇒ 詳 細
2016. 4.28大学院生(博士前期&後期過程)を募集しています
他大学、高専専攻科からも歓迎(今まで2名の実績有)
成績優秀者はB試験(筆記試験免除)の受験が可能です
   連絡先: tokuda(at)se.kanazawa-u.ac.jp
2016. 3.22中西一浩君(M2)が自然科学研究科長賞を受賞しました
2016. 2.26莨谷平君(M1)がトビタテ!留学JAPAN日本代表プログラム第3期生として留学先に向かいました
留学先:Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics (Freiburg, Germany)
留学期間:2016年3月7日〜2017年2月20日(約1年間)
⇒ 詳 細
2015.12.21第29回ダイヤモンドシンポジウム(2015.11.17-19)において
中西一浩君(M2)がポスターセッション賞(優秀賞)を受賞しました

Niへの炭素の固溶反応を用いたダイヤモンドエッチングプロセスの提案
⇒ 詳 細
2015.12. 3EMN 3CG2015で招待講演を行います⇒ 詳 細
2015.11.14金沢大学サステナブルエネルギー研究センター第3回公開シンポジウムで依頼講演を行いました⇒ 詳 細
2015.10.26大澤科学技術振興財団研究開発助成(平成27年度)に採択されました⇒ 詳 細
2015.10. 1JST マッチングプランナープログラム(平成27年度)に採択されました⇒ 詳 細
2015.10. 1松本翼 助教(リサーチプロフェッサー(若手型))が着任しました⇒ 詳 細
2015. 9.10伊藤君(M1)と黒島君(M1)がドイツ(Bad Homburg)で開催されたICDCM2015で発表を行いました 
2015. 6.18EM-NANO2015(2015.6.16-19)において中西一浩君(M2)が
Poster Awardを受賞しました

Diamond Etching by Solid Solution Reaction of Carbon to Nickel
2015. 5. 5テニュアトラック助教(リサーチプロフェッサー)を募集しております
書類提出締切は6月30日までです
⇒ 詳 細
2015. 4. 6大学院生(博士前期&後期過程)を募集しています
他大学、高専専攻科からも歓迎(今まで2名の実績有)
成績優秀者はB試験(筆記試験免除)の受験が可能です
   連絡先: tokuda(at)se.kanazawa-u.ac.jp
2015. 3.23伊藤槙哉君(B4)が理工学域長賞を受賞しました
2015. 2.10リサーチプロフェッサー(登用型)の辞令を受けました⇒ 詳 細
2015. 2.10【論 文】、【学 会 発 表】を更新しました 
2014.10.25ニューダイヤモンドフォーラム NEW DIAMOND誌に我々の研究室が紹介されました⇒ 詳 細
2014.10. 6半導体ダイヤモンドの高速成長法に関する研究成果が日刊工業新聞に掲載されました⇒ 詳 細
2014. 8. 1【論 文】、【特 許】を更新しました 
2014. 5. 7大学院生を募集しています
他大学、高専専攻科からも歓迎(今まで2名の実績有)

   連絡先: tokuda(at)se.kanazawa-u.ac.jp
2014. 5. 7【特 許】、【外 部 資 金 獲 得】を更新しました 
2014. 3.13International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2014)で招待講演を行います⇒ 詳 細
2014. 3.12応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 News Letterに我々の研究室が紹介されました⇒ 詳 細
2013.12.292013年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会(2013.11.22-23)
において南山拓真君(M1)が発表奨励賞を受賞しました
      超低抵抗率ホウ素δドープダイヤモン構造
⇒ 詳 細
2013.11.25JST A-STEP ハイリスク挑戦タイプ(平成25年度)に採択されました⇒ 詳 細
2013.11.11第42回 薄膜・表面物理基礎講座(2013)を開催します
   参加申込締切:2013年11月18日(月)
⇒ 詳 細
2013.11.11【論 文】を更新しました 
2013.10. 1【学 会 発 表】を更新しました 
2013. 4.23大学院生を募集しています(他大学、高専専攻科からも歓迎)
   連絡先: tokuda(at)se.kanazawa-u.ac.jp
2013. 4.23International Conference on Silid State Devices and Materials (SSDM2013)で招待講演を行います⇒ 詳 細
2013. 4.23【論 文】、【学 会 発 表】を更新しました 
2012.11.28【特 許】を更新しました 
2012.11.10【論 文】を更新しました 
2012. 8.22【論 文】、【特 許】を更新しました 
2012. 4.20大学院生を募集しています(他大学、高専専攻科からも歓迎)
   連絡先: tokuda(at)se.kanazawa-u.ac.jp
2012. 4. 4【論 文】、【学 会 発 表】、【外 部 資 金 獲 得】を更新しました 
2012. 2. 8ダイヤモンド基板に関する研究成果が朝日新聞に掲載されました
2011.12.15工業材料(2012年1月号,日刊工業新聞社)に記事が掲載されました
   次代を拓く―工業材料キーワード40
   半導体ダイヤモンド
⇒ 詳 細
2011.12.12 第25回 ダイヤモンドシンポジウム(2011.12.7-9)において福井真君(M2)がポスターセッション優秀賞を受賞しました
   原子的平坦ダイヤモンド(111)表面のグラファイト化による
   グラフェン・オン・ダイヤモンド形成
⇒ 写 真
⇒ 詳 細
2011.11.10金沢大学重点戦略経費政策課題対応型研究推進セミナーを開催しました
   講演者: RNDr. Bohuslav Rezek, Ph.D.
   Academy of Sciences of the Czech Republic
⇒ 詳 細
2011.10.28【学 会 発 表】を更新しました 
2011. 9. 7グラフェン・オン・ダイヤモンドに関する研究成果が日刊工業新聞に掲載されました⇒ 詳 細
2011. 8.102011年度精密工学会秋季大会学術講演会(2011.9.20)でキーノートスピーチを行います⇒ 詳 細
2011. 7.22イノベーションジャパン2011(2011.9.21〜22)に出展します
   究極の半導体デバイス材料:半導体ダイヤモンドの開発

⇒ 詳 細
2011. 7.22新技術説明会(2011.8.19)で発表します
   グラフェン・オン・ダイヤモンドの開発
   〜カーボンエレクトロニクス時代へ〜

⇒ 詳 細
2011. 5.25大学院生を募集しています(他大学、高専専攻科からも歓迎です)
   連絡先: tokuda@se.kanazawa-u.ac.jp
2011. 5.25【論 文】、【学 会 発 表】、【外 部 資 金 獲 得】を更新しました 
2011. 2.222011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会(2011.3.26)で招待講演を行います⇒ 詳 細
2010.10.18A-STEP FSステージ シーズ顕在化タイプ(平成22年度)に採択されました⇒ 詳 細
2010. 8.31JR東日本企画「トレインチャンネル」の番組「知ってるぅ↑?サイエンス」にて、「世界最小のダイヤモンド製ものさし」が紹介されました⇒ 詳 細